[发明专利]一种高可靠性外延栅的SiC MOSFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910883909.9 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110556415B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 姚金才;陈宇;朱超群 | 申请（专利权）人： | 深圳爱仕特科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙) 44632 | 代理人： | 霍如肖 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高可靠性外延栅的SiC MOSFET器件，同时，本发明还提供了一种高可靠性外延栅的SiC MOSFET器件的制备方法。本发明由于绝缘介质栅是通过外延高电阻率的本征SiC得到，与衬底外延SiC晶格常数匹配度高，可以降低SiC MOSFET器件介质层与碳化硅间的界面态密度，从而降低对载流子输运的散射，提高载流子迁移率。SiC的介电常数与SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 可靠性 外延 sic mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高可靠性外延栅的SiC MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1、选取SiC衬底和SiC外延层，对SiC衬底和SiC外延层进行清洗并且干燥；/nS2、在SiC外延层表面上进行铝离子注入，形成P-well阱区；/nS3、在P-well阱区上表面进行氮离子注入，形成源极接触n+区域；/nS4、在源极接触n+区域上表面进行铝离子注入，形成源极接触P+区域；/nS5、对注入的杂质离子进行高温激活；/nS6、对高温激活后的SiC衬底和SiC外延层进行表面处理，使SiC外延层上表面干净、平坦，适合进行再次SiC外延；/nS7、在SiC外延层上表面进行本征SiC层外延，形成绝缘SiC外延层，以此作为SiCMOSFET器件的绝缘栅介质层；/nS8、在绝缘SiC外延层上淀积多晶硅栅极，并且对绝缘SiC外延层和多晶硅栅极光刻、刻蚀，刻蚀出接触孔区域；/nS9、绝缘介质层的沉积以及光刻、刻蚀，形成源极接触孔；/nS10、源极金属的沉积、光刻刻蚀以及高温合金，与源极接触n+区域和源极接触P+区域形成良好欧姆接触；/nS11、晶圆背面漏极金属的沉积以及高温合金，形成SiC MOSFET器件器件结构，完成制备。/n
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