[发明专利]MTJ底电极及其制造方法有效
| 申请号： | 201910884168.6 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112531102B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李辉辉 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/85;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 孙峰芳 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MTJ底电极及其制造方法。所述MTJ底电极包括：堆叠设置的底电极衬底层和底电极缓冲层，所述底电极衬底层下表面和底部导电金属直接接触，所述底电极缓冲层的上表面和磁性隧道结接触，其中，所述底电极缓冲层的材料的原子量小于所述底电极衬底层的材料的原子量。本发明能够提高刻蚀选择比，减小后段MTJ刻蚀过程中的金属沉积污染，且溅射到MTJ表面的底电极材料更易清洗。 | ||
| 搜索关键词： | mtj 电极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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