[发明专利]一种氧化镓纳米晶薄膜日盲紫外探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910884320.0 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN110676339B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 杨陈;张进;蔡长龙;邵雨 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | H01L31/102 | 分类号： | H01L31/102;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/0368;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 黄秦芳 |
| 地址： | 710032 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及对于氧化镓纳米晶薄膜在日盲紫外光电探测方面的应用，具体涉及一种氧化镓纳米晶薄膜日盲紫外探测器及其制备方法。本发明采用单晶Si作为衬底，并采用电子束蒸发技术，在其上先沉积SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 纳米 薄膜 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化镓纳米晶薄膜日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于：步骤为：/n1)以单晶硅为衬底，采用电子束蒸发的方式，在Si衬底上沉积一层50-300nm厚的SiO
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
