[发明专利]具有梯度深度P型区域的结势垒肖特基二极管及制备方法在审
| 申请号： | 201910885329.3 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN112531007A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 黎大兵;刘新科;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种具有梯度深度P型区域的结势垒肖特基二极管及制备方法，包括：衬底；在衬底的背面制作而成的负极；在衬底的正面外延生长的n |
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| 搜索关键词： | 具有 梯度 深度 区域 结势垒肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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