[发明专利]可变电阻式存储器有效

专利信息
申请号: 201910885759.5 申请日: 2019-09-19
公开(公告)号: CN110993003B 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 富田泰弘;林纪舜 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;H01L27/24;H01L27/02
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 孙乳笋;周永君
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本申请提供了一种可变电阻式存储器,目的为提供不降低可靠度而面积效率佳的可变电阻式存储器。解决手段为本发明的可变电阻式存储器包括:阵列区域,以行列状配置有多个存储单元,上述存储单元包括可变电阻元件与连接上述可变电阻元件的存取用的晶体管;多个字线WL1、WL2、…、WLn,在阵列区域的列方向延伸且连接列方向的存储单元;区域位线BL1,在阵列区域的行方向延伸;多个区域源极线SL1、SL2、…、WLq,在阵列区域的行方向延伸,连接行方向的存储单元的局部电极;以及共享位线SBL,连接局部位线BL1且在阵列区域的列方向延伸,连接行方向的存储单元的另外的局部电极。
搜索关键词: 可变 电阻 存储器
【主权项】:
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