[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910887415.8 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN112530857A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 于海龙;谭晶晶;荆学珍;郭雯 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底，所述衬底内具有第一金属层；在所述衬底上形成介质层，所述介质层内具有暴露出第一金属层顶部表面的第一开口；采用第一溅射处理对第一开口底部暴露出的第一金属层表面进行轰击，使所述第一金属层表面的金属材料溅射到所述第一开口侧壁表面形成第一粘附层；采用第一金属选择性生长工艺在所述第一粘附层表面以及所述第一金属层暴露出的表面形成第二金属。在本发明的技术方案中，通过在第一开口侧壁表面形成第一粘附层，进而在第一粘附层的侧壁与第一金属层的表面形成第二金属层，以此提升第二金属层与第一开口的侧壁表面之间的结合性，有效的减小了外部的杂质进入到所述第一开口内造成金属污染。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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