[发明专利]一种可批量制造有孔无痛微针阵列芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201910889810.X | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110559553A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 刘莎;马维宁;王逸仙;殷清林 | 申请（专利权）人： | 灏曦(天津)生物技术有限公司 |
| 主分类号： | A61M37/00 | 分类号： | A61M37/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300450 天津市滨海新区天津经济技术开发区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可批量制造有孔无痛微针阵列的制备方法，其特征在于以硅材质为主体，采用半导体制造技术，先制造出针尖斜面，然后在针面打开通道，一次制备过程，即可制造出5000至几万个针尖长度在10至1000um的无痛微针阵列芯片，本发明中所公开的无痛微针阵列芯片的制备方法，可简化微针芯片的制备过程，降低生产成本，并可生产出具有设定的针面斜度，良好的针尖尖度以及均匀的注射通道的无痛微针。 | ||
| 搜索关键词： | 微针阵列芯片 制备过程 针面 制备 半导体制造技术 斜度 批量制造 微针芯片 微针阵列 针尖斜面 注射通道 硅材质 针尖 微针 制造 生产 | ||
【主权项】：
1.一种可批量制造有孔无痛微针阵列芯片的制备方法，其制备步骤包括：/nⅠ.光刻出图形来定义单个微针形状，利用光刻技术在光刻胶层刻出一定形状沟槽；/nⅡ.利用干法刻蚀将光刻胶层形状转移至硅基层；/nⅢ.采用一般方法移除光刻胶层，包括浸入法和喷淋法等；/nⅣ.采用低压化学气相沉积法(LPCVD)或者等离子增强化学气相沉积法(PECVD)将硅基层的正面、反面和沟槽内均镀上一层SiN保护层，作为下一步湿法刻蚀的保护层；/nⅤ.用ICP-RIE反应去除硅基层正面SiN保护层，保留硅基层背面和沟槽的保护层；/nⅥ.利用Si晶面各向异性湿法刻蚀出针尖和针面角度，利用KOH对硅基层各个晶面的刻蚀速率不同，刻蚀出针面斜度约为54.37°；/nⅦ.湿法移除SiN保护层，利用HF对SiN保护层的腐蚀性，移除余下SiN保护层；/nⅧ.从硅基层正面旋涂或者喷涂针尖保护层；/nⅨ.从硅基层背面光刻，在光刻胶层上做出图形，用以在针尖上开出通道；/nⅩ.从硅基层背面刻蚀深孔通道，利用深反应离子刻蚀技术DRIE(包括boschprocess技术和低温处理技术等)将光刻胶层图形转移到针面，需要打通整个针面；/nⅪ.移除光刻胶层和针尖保护层，形成微针，采用一般光刻胶层移除液或者丙酮等有机溶剂移除。/n
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