[发明专利]异质结结构的制作方法及电极结构和电子器件在审
| 申请号： | 201910890185.0 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN112542380A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 冯会会;徐俞;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L29/45;H01L29/47 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质结结构的制作方法及电极结构和电子器件，其中，异质结结构的制作方法包括：提供一具有原子台阶形貌的GaN衬底，在GaN衬底的表面上生长石墨烯层；其中，将GaN衬底的原子台阶的宽度设置为大于60nm，使得GaN衬底与石墨烯层之间形成具有欧姆接触特性的异质结结构；或者是，将所述GaN衬底的原子台阶的宽度设置为小于20nm，使得GaN衬底与石墨烯层之间形成具有肖特基接触特性的异质结结构。本发明方便了石墨烯/GaN异质结结构的使用。本发明的电极结构和电子器件均采用了通过上述制作方法来制作的异质结结构。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 结构 制作方法 电极 电子器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
