[发明专利](100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管及其制备方法有效

申请号：	201910890609.3	申请日：	2019-09-20
公开（公告）号：	CN110600366B	公开（公告）日：	2021-06-18
发明（设计）人：	王宏兴;刘璋成;赵丹;王娟;邵国庆;易文扬;李奇;王玮;问峰	申请（专利权）人：	西安交通大学
主分类号：	H01L21/04	分类号：	H01L21/04;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/45;H01L29/04;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/78
代理公司：	西安维赛恩专利代理事务所(普通合伙) 61257	代理人：	刘春
地址：	710049 陕***	国省代码：	陕西;61
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摘要：	本发明公开了一种(100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管及其制备方法，解决了p沟道结型场效应晶体管空穴迁移率低的问题。(100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管，包括设有两个沟道的n型金刚石层，n型金刚石层的表面沿水平方向依次设置有源极、n‑p结和漏极，在n‑p结的上方设置有栅极，源极、漏极与n型金刚石层之间均设置有欧姆电极，欧姆电极即为高导电表面。
搜索关键词：	100 金刚石沟道场效应晶体管及其制备方法
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【主权项】：

1.(100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一、采用微波等离子体化学气相沉积方法在(100)晶向本征单晶金刚石衬底1上生长一层n型金刚石层(2)；/n步骤二、在n型金刚石层(2)的表面制备金属掩膜(3)，利用刻蚀技术在n型金刚石层(2)中刻蚀出两个凹槽；/n步骤三、采用微波等离子体化学气相沉积方法在两个所述凹槽的内表面均生长一层n型金刚石薄层(4)，得到样品A；/n步骤四、采用硫酸和硝酸体积比1:1混合液超过200℃条件下加热所述样品A，去除金属掩膜(3)，同时使得n型金刚石薄层(4)的表面氢终端氧化成氧终端，然后在900℃以上退火5min以上得到使n型金刚石薄层(4)表面转变成高导电表面(5)；/n步骤五、在一个所述高导电表面(5)上制备源极(6)，在另一个所述高导电表面(5)上制备漏极(7)，在n型金刚石层(2)的上表面淀积一层电介质掩膜(8)，所述待淀积电介质掩膜(8)的上表面不包含源极(6)的顶面、漏极(7)的顶面、以及n型金刚石层(2)上待生长栅极(10)的顶面；/n步骤六、采用微波等离子体化学气相沉积方法，在n型金刚石层(2)上待生长栅极的顶面上生长一层p型金刚石层(9)，然后采用紫外臭氧处理将表面氢终端氧化成氧终端；/n步骤七、在p型金刚石层(9)上制备栅极(10)，并通过退火形成欧姆接触。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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