[发明专利]基于激光位移传感器的微阵列盖片二维检测方法及装置有效
| 申请号： | 201910890643.0 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110514122B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 陶勇;黄勇;张冠斌;宋驰骋;李旭东;李若然 | 申请（专利权）人： | 成都博奥晶芯生物科技有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/02 | 分类号： | G01B11/02;G01B11/16 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 管高峰 |
| 地址： | 611135 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于激光位移传感器的微阵列盖片二维检测方法及装置，所述检测方法包括如下步骤：S1，设置激光位移传感器垂直于微阵列盖片的正面；S2，将激光位移传感器沿着微阵列盖片的各个凸面的水平方向和竖直方向移动，测得若干数据；S3，利用测得的若干数据计算每个凸面在水平方向和竖直方向的平均值和变异系数，基于计算得到的平均值和变异系数判断微阵列盖片是否弯曲变形。本发明通过采用激光位移传感器，测量数据更加准确、可靠，测量精度更高，避免了传统办法以最小距离代替整个凸面到工作台的情况，更具实用性；并采用二维检测方法，由此分析测量对象，使得测量结果更加具有说服力，真实反映出微阵列盖片各个凸面是否发生弯曲变形。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 激光 位移 传感器 阵列 二维 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基于激光位移传感器的微阵列盖片二维检测方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1，设置激光位移传感器垂直于微阵列盖片的正面；/nS2，将激光位移传感器沿着微阵列盖片的各个凸面的水平方向和竖直方向移动，测得若干数据；/nS3，利用测得的若干数据计算每个凸面在水平方向和竖直方向的平均值和变异系数，基于计算得到的平均值和变异系数判断微阵列盖片是否弯曲变形。/n
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