[发明专利]一种GaAs基超高亮度LED结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910890733.X | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN112542540B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 于军;张雨;张新;李志虎;朱振 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/14;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 赵龙群 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种GaAs基超高亮度LED结构及其制备方法，该LED结构包括由下而上依次设置的N电极、GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaAs缓冲层、AlGaAs/AlAs DBR、AlInP N限制层、AlGaInP N波导层、AlGaInP多量子阱有源层、AlGaInP P波导层、AlInP P限制层、GaP窗口层和P电极，P电极的周围设置有导热柱。本发明提供的GaAs基超高亮度LED结构，工作时的温度由普通LED的85℃‑100℃降为70℃‑85℃，相同尺寸下平均亮度高出20％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 超高 亮度 led 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东华光光电子股份有限公司，未经山东华光光电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910890733.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
