[发明专利]一种制备同质集成光通信芯片的方法在审
| 申请号： | 201910890974.4 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110600582A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 黎大兵;杨敏;孙晓娟;贾玉萍;蒋科;石芝铭;刘新科;陈洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/173 |
| 代理公司： | 22214 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 | 代理人： | 宁晓丹 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种制备同质集成光通信芯片的方法涉及半导体通信技术领域，解决了光通信芯片通信带宽非常低的问题，生长GaN基材料，GaN基材料从下至上依次为衬底、本征GaN层、n型掺杂层、量子阱层和p型掺杂层；在GaN基材料上制备隔离沟道；在GaN基材料上制备LED阵列p台面、探测器p台面以及波导，LED阵列p台面的数量大于等于3个，上表面面积大于等于25μm | ||
| 搜索关键词： | 探测器 制备 光通信 隔离沟道 台面 同质 带宽 通信技术领域 本征GaN层 波导连接 量子阱层 芯片通信 芯片制备 结电容 上表面 波导 衬底 减小 半导体 芯片 瓶颈 生长 响应 | ||
【主权项】：
1.一种制备同质集成光通信芯片的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、生长GaN基材料，GaN基材料从下至上依次为衬底(1)、本征GaN层(2)、n型掺杂层(3)、量子阱层(4)和p型掺杂层(5)；/n步骤二、在GaN基材料上制备隔离沟道(6)；/n步骤三、在GaN基材料上制备LED阵列p台面(7)、探测器p台面(8)以及波导(9)，LED阵列p台面(7)的数量大于等于3个，LED阵列p台面(7)上表面的面积大于等于25μm
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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