[发明专利]一种能够通过激光切割选择输出类型的比较器输出结构有效
| 申请号： | 201910891165.5 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN112543014B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 孙德臣 | 申请（专利权）人： | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K5/22 | 分类号： | H03K5/22 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吴小灿 |
| 地址： | 100089 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种能够通过激光切割选择输出类型的比较器输出结构，通过在前置比较器的第一输出端至PMOS管的栅极之间依次设置第一激光切割选择单元和高阻自置高单元，以及在所述前置比较器的第二输出端至NMOS管的栅极之间依次设置第二激光切割选择单元和高阻自置低单元，能够利用芯片制造过程中的激光切割选择输出类型，所述输出类型包括N型场效应晶体管漏极开路输出结构，P型场效应晶体管漏极开路输出结构，以及默认的推挽式输出结构，有利于实现采用一套集成电路掩膜板即可应对三种不同比较器输出结构的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 能够 通过 激光 切割 选择 输出 类型 比较 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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