[发明专利]调控钙钛矿相钴氧化物材料的氧空位序相的方法有效

专利信息
申请号: 201910891181.4 申请日: 2019-09-20
公开(公告)号: CN112537799B 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 朱亮;王立芬;许智;王文龙;白雪冬 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: C01G51/04 分类号: C01G51/04
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 郭广迅
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种调控钙钛矿相钴氧化物材料的氧空位序相的方法,包括对薄膜形式的钙钛矿相钴氧化物ACoO3施加电场或者施加电场和应力场,使得所述钙钛矿相钴氧化物薄膜由原始钙钛矿相ACoO3转变为氧空位序相ACoO2.5;其中A选自La、Sr和Ca中的一种或者几种。通过对钙钛矿相钴氧化物薄膜同时施加电场和应力场,在钙钛矿相钴氧化物薄膜中便会产生平行于衬底的横向氧空位序相。通过对钙钛矿相钴氧化物薄膜仅施加电场而不施加应力场,钙钛矿相钴氧化物薄膜中便会产生垂直于衬底的纵向氧空位序相,同时,在纵向氧空位序相的两侧会存在少量的横向氧空位序相。通过本发明的方法得到的氧空位序相在固体氧化物燃料电池、催化剂、氧气分离膜、气体传感器等领域有较大的应用前景。
搜索关键词: 调控 钙钛矿相钴 氧化物 材料 空位 方法
【主权项】:
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