[发明专利]一种导电基底上垂直生长MXene的方法有效
| 申请号： | 201910891263.9 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN112537773B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 叶萃;叶长辉;王敏强;吴震;毕丽丽 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C01B32/90 | 分类号： | C01B32/90;C01B21/06 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;俞慧 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种导电基底上垂直生长MXene的方法，包括：(1)：选取导电基底，进行预处理；(2)：将步骤(1)处理后的导电基底浸在MXene分散液中，使导电基底与MXene分散液充分接触；(3)：将步骤(2)处理后的导电基底进行冷冻干燥处理，所述冷冻干燥处理按照如下实施：①梯度冷凝：取结构如图所示的梯度冷凝模具，将梯度冷凝模具部分浸在冷凝介质中，确保整个长方体模块A及部分楔形模块B与冷凝介质直接接触，且楔形模块C不与冷凝介质直接接触，将导电基底置于楔形模块C上，在冷凝介质中冷冻1～20min，获得冻结好的导电基底；②将冻结好的导电基底转移至冷冻干燥机中，进行后续升温干燥操作，获得MXene基导电基底，其中MXene以垂直排列的方式生长在导电基底表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 基底 垂直 生长 mxene 方法 | ||
【主权项】：
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