[发明专利]浸没式光刻工艺中晶圆表面残水缺陷的改善方法有效
| 申请号： | 201910891416.X | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110597021B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 高松;王建涛;杨正凯 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种浸没式光刻工艺中晶圆表面残水缺陷的改善方法，确定晶圆表面残水缺陷的位置分布；根据晶圆表面残水缺陷的位置分布在相对应的曝光单元中设置虚拟曝光单元，通过虚拟曝光单元改变曝光路径，将浸没头携带的超纯水与晶圆表面的残水相接触，去除晶圆表面的残水。本发明能够去除晶圆表面的残水，降低了残水缺陷产生的概率，消除了晶圆表面残水缺陷对光刻质量造成的影响，保证了晶圆光刻质量，提高了半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 浸没 光刻 工艺 中晶圆 表面 缺陷 改善 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浸没式光刻工艺中晶圆表面残水缺陷的改善方法，其特征在于，确定晶圆表面残水缺陷的位置分布；根据晶圆表面残水缺陷的位置分布在相对应的曝光单元中设置虚拟曝光单元，通过虚拟曝光单元改变曝光路径，将浸没头携带的超纯水与晶圆表面的残水相接触，去除晶圆表面的残水。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910891416.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种非接触式超声清洗设备
- 下一篇：基于超表面阵列结构的灰度掩模复用技术
