[发明专利]一种带氮化硅层的单晶薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910891594.2 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110618488B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 张涛;胡文;张秀全;罗具廷 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13;G02B6/132 |
| 代理公司： | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 37108 | 代理人： | 张娟 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港兴*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带氮化硅层的单晶薄膜及其制备方法，从上至下包括氮化硅层、铌酸锂薄膜层、氧化硅层和硅衬底层；本发明的带氮化硅层的单晶薄膜，由于氮化硅有好的绝缘效果和宽的光学透过窗口，作为光波导传播层，与铌酸锂薄膜有更好的匹配性、高的模式限制、低的传播损耗和高功率处理能力；本发明的带氮化硅层的单晶薄膜的制备方法，氮化硅波导采用LPVCD沉积制成，并和铌酸锂调制器进行集成，可以得到集成度高、宽带宽、损耗低的波导器件；本发明的制备方法适用于工业生产，成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种带氮化硅层的单晶薄膜，其特征在于：依次包括氮化硅层、铌酸锂/钽酸锂薄膜层、氧化硅层和硅衬底层；其中氮化硅层厚度偏差≤3％，粗糙度Ra＜0.2nm，均匀性TTV＜50nm。/n
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