[发明专利]一种单晶单畴压电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910891629.2 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110581212B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李真宇;胡文;张秀全;罗具廷;杨超 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;H01L41/253;H01L41/257 |
| 代理公司： | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 37108 | 代理人： | 张娟 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港兴*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单晶单畴压电薄膜及其制备方法，单晶单畴压电薄膜依次包括单晶薄膜层、二氧化硅层、介质层和单晶硅层；其中单晶薄膜层的材料为单晶铌酸锂或单晶钽酸锂；介质层为单晶硅的损伤层、非晶硅或多晶硅；本发明的单晶单畴压电薄膜的压电系数为体材料的98%~100%，而采用现有技术的压电系数为体材料的10~90%，单畴单晶薄膜在使用时压电性能稳定，机电耦合系数不会下降，器件带宽宽、损耗低，一致性好；本发明的制备方法成本低、能耗低、效率高，适用于工业生产，成品率高；所得薄膜中数十纳米的二氧化硅层都可以达到厚度可控、厚度偏差小、表面平整、均匀性好的效果，因而所得器件具有较好的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶单畴 压电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶单畴压电薄膜，其特征在于：依次包括单晶薄膜层、二氧化硅层、介质层和单晶硅层；其中单晶薄膜层的材料为单晶铌酸锂或单晶钽酸锂，铁电畴为单畴，压电系数为体材料的98％～100％；介质层为单晶硅的损伤层、非晶硅或多晶硅。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南晶正电子科技有限公司，未经济南晶正电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910891629.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：压电陶瓷、压电元件和电子装置
- 下一篇：半导体元件
