[发明专利]聚合物的去除方法有效
| 申请号： | 201910891638.1 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110600376B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 孙文彦;王一;许鹏凯 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种聚合物的去除方法，所述方法包括：提供一半导体基底，所述半导体基底包括重叠形成的顶层金属层以及钝化层，所述钝化层中形成有开口，所述开口贯穿所述钝化层，以暴露出所述顶层金属层，并且在所述开口的底部残留有聚合物；以所述钝化层为掩膜，对所述半导体基底交替执行化学刻蚀工艺和物理轰击工艺，以刻蚀所述开口底部的聚合物。本发明提供的聚合物的去除方法的速率较高，还可以防止半导体基底的其他部位被拨快，确保半导体基底的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 去除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种聚合物的去除方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供一半导体基底，所述半导体基底包括重叠形成的顶层金属层以及钝化层，所述钝化层中形成有开口，所述开口贯穿所述钝化层，以暴露出所述顶层金属层，并且在所述开口的底部残留有聚合物；/n以所述钝化层为掩膜，对所述半导体基底交替执行化学刻蚀工艺和物理轰击工艺，以刻蚀所述开口底部的聚合物。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910891638.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体元件制造方法
- 下一篇：一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
