[发明专利]一种管状材料内表面进行MPCVD的方法及装置在审
| 申请号： | 201910892374.1 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110512195A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 满卫东 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | C23C16/517 | 分类号： | C23C16/517;C23C16/458 |
| 代理公司： | 33246 浙江千克知识产权代理有限公司 | 代理人： | 裴金华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种管状材料内表面进行MPCVD的方法及装置。方法包括：将管状材料放置于微波等离子体基片台上；将一根金属丝沿管状材料中轴线方向穿过管状材料，所述金属丝上绑缚有金属尖端；打开微波等离子体化学气相沉积装置，在管状材料内表面进行沉积镀膜。装置包括微波系统、真空系统、供气系统和等离子体反应室，所述等离子体反应室内设有一自旋转基片台，所述自旋转基片台用于放置管状材料，所述等离子反应室还包括用陶瓷支撑物，所述陶瓷支撑物上支撑有金属丝，所述金属丝能够沿管状材料中轴线方向穿过管状材料，所述金属丝表面绑缚有金属尖端。本发明能够实现在管状材料内部均匀镀膜，并且具有工艺简单、能耗低、镀膜均匀等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 管状材料 金属丝 金属尖端 陶瓷支撑 旋转基片 内表面 中轴线 镀膜 微波等离子体化学气相沉积 等离子体反应室 等离子反应室 等离子体反应 微波等离子体 金属丝表面 穿过 供气系统 均匀镀膜 微波系统 真空系统 上支撑 沉积 能耗 室内 | ||
【主权项】：
1.一种管状材料内表面进行 MPCVD 的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n（1）将管状材料放置于微波等离子体基片台上；/n（2）将一根金属丝沿管状材料中轴线方向穿过管状材料，所述金属丝上绑 缚有金属尖端；/n（3）打开微波等离子体化学气相沉积装置，在管状材料内表面进行沉积镀 膜。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉工程大学，未经武汉工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910892374.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
