[发明专利]一种改善AMR传感器芯片敏感单元offset输出的制备方法在审
| 申请号： | 201910892385.X | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110501541A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 余涛;杨华;张文旭;陈忠志 | 申请（专利权）人： | 贵州雅光电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R3/00 | 分类号： | G01R3/00;G01R33/06 |
| 代理公司： | 52100 贵阳中新专利商标事务所 | 代理人： | 刘楠<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 550081 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善AMR传感器芯片敏感单元offset输出的制备方法，本发明采用2次布线的方式将相互独立的磁敏线条单元用Al连接起来，既保证了惠斯通电桥的完整性，又保证了四个电阻桥完全一致性，能够极大的方便IC设计人员设计电路，简化电路的复杂程度，提升传感器芯片的准确性、可靠性和一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 芯片 惠斯通电桥 提升传感器 敏感单元 线条单元 电阻桥 磁敏 次布 制备 保证 输出 | ||
【主权项】：
1.一种改善AMR传感器芯片敏感单元offset输出的制备方法，其特征在于：该方法采用至少2次布线的方式来进行敏感单元的生产工作，具体包括以下步骤：/n步骤一、采用光刻剥离工艺生长出相互独立的敏感单元线条，横竖排布的线条之间完全独立，杜绝了直接采用敏感材料互联而产生的磁畴混乱导致电阻变化的情况；/n步骤二、生长完敏感单元以后，在上面生长一层氮化硅薄膜，然后采用光刻的方法，对氮化硅层进行刻蚀处理，将所需要互联的位置的氮化硅刻蚀掉，漏出下面的敏感单元线条的端头接口；/n步骤三、继续在表面生长Al层，采用光刻的方法，将步骤二开出的窗口以外的部分全部刻蚀掉，只保留互联部分。/n
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