[发明专利]一种二维碘化铅薄片的制备方法及应用有效
| 申请号： | 201910892389.8 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110611015B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 吴明泽;万祖腾;夏奕东;宁兴海 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 江苏法德东恒律师事务所 32305 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维碘化铅薄片的制备方法及应用。制备方法包括以下步骤：对基底进行清洗处理；将定量的过饱和碘化铅水溶液滴加在清洗处理后的基底上；然后将基底放置在旋涂机上旋涂，干燥，待基底上的水溶液完全挥发后得到二维碘化铅薄片。本发明的制备方法操作简单，成本低，环保，可以快速高产率的制备出二维碘化铅薄片，且制备的二维碘化铅薄片尺寸大，表面光滑，结晶质量高，可将其加工应用于光电探测器上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 碘化 薄片 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种二维碘化铅薄片的制备方法，其特征在于，具体步骤包括：/n(1)对基底进行清洗处理；/n(2)将定量的过饱和碘化铅水溶液滴加在清洗处理后的基底上；/n(3)将步骤(2)的基底在旋涂机上以一定的转速旋涂，然后干燥，得到二维碘化铅薄片。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
