[发明专利]在集成电路中形成金属互连的方法在审

专利信息
申请号: 201910892557.3 申请日: 2019-09-20
公开(公告)号: CN110943036A 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 林義雄;黄禹轩;赖志明;刘如淦;张尚文;邱奕勋 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L27/02
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本揭示案描述了用于在集成电路(integrated circuit;IC)中形成金属互连的方法。此方法包括在布局区域中放置金属互连,确定金属互连的多余部分的位置,及在此位置将金属互连的长度减去多余部分的长度,以形成金属互连的一或更多个主动部分。多余部分的长度是IC的相邻栅结构之间的距离的函数。此方法亦包括在IC的层间介电(interlayer dielectric;ILD)层上形成一或更多个主动部分,以及在一或更多个主动部分上形成通孔,其中通孔位于与一或更多个主动部分的端部相距约3nm至约5nm的位置。
搜索关键词: 集成电路 形成 金属 互连 方法
【主权项】:
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