[发明专利]分离卤代硅烷的方法在审
| 申请号： | 201910893046.3 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN110589837A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | S·蓬努斯瓦迈;N·R·科塔;S·布萨拉普;P·古普塔 | 申请（专利权）人： | 各星有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/04 | 分类号： | C01B33/04;C01B33/027;C01B33/107;B01D3/14;B01J19/24 |
| 代理公司： | 11247 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 彭立兵;林柏楠 |
| 地址： | 中国香港九龙柯士甸道西1号,*** | 国省代码： | 中国香港;HK |
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| 摘要： | 公开了分离卤代硅烷的方法，其涉及使用具有将塔分成用于产生三个产物馏分的部分的隔板的蒸馏塔。还公开了使用这样的塔的通过卤代硅烷的歧化生产硅烷的方法和系统和生产多晶硅的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 卤代硅烷 隔板 多晶硅 蒸馏塔 硅烷 歧化 生产 | ||
【主权项】：
1.一种分离卤代硅烷的方法，其包括：/n将第一卤代硅烷、第二卤代硅烷和第三卤代硅烷引入卤代硅烷蒸馏塔，第一卤代硅烷具有小于第二卤代硅烷的沸点，第二卤代硅烷具有小于第三卤代硅烷的沸点，所述蒸馏塔包含将所述塔分成主部和侧部的隔板；/n取出相对于引入蒸馏塔的进料集合富集第一卤代硅烷的塔顶馏分；/n作为侧馏分从所述塔的侧部取出相对于引入蒸馏塔的进料集合富集第二卤代硅烷的侧馏分；和/n取出相对于引入蒸馏塔的进料集合富集第三卤代硅烷的塔底馏分。/n
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