[发明专利]适用于太阳电池的低成本低接触电阻的金属化方法

摘要

本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的低成本低接触电阻的金属化方法。本发明，依次包括以下步骤：太阳能电池基体制备、氮化钛印刷、钝化层生长和丝网印刷及烧结。本发明采用氮化钛浆料、铜浆双层印刷的方法，氮化钛熔点高，化学稳定性好，高温下不与金属反应，并具有较好的导电性，故利用氮化钛阻挡铜浆印刷后进入硅中，解决了铜浆在硅中容易扩散并会形成深能级缺陷的问题，使得太阳能电池中的细栅也可用铜替代，进一步节约了银用量，并且，本发明所使用的氮化钛材料具有较好的导电性，且功函数可调，可与太阳电池的磷扩散发射结或掺磷多晶硅薄膜形成好的欧姆接触。

主权项

1.一种适用于太阳电池的低成本低接触电阻的金属化方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一：太阳能电池基体制备，取单晶硅片作为衬底，制得太阳能电池基体；/n步骤二：氮化钛印刷，在步骤一中制得的太阳能电池基体正面金属栅线区域印上氮化钛浆料，然后依次进行烘干和退火以形成致密的氮化钛薄膜；/n步骤三：钝化层生长，在电池的背面沉积一层氧化铝薄膜，厚度为5-25nm，然后分别沉积背面和正面的氮化硅薄膜，背面氮化硅薄膜的厚度为100-120nm，正面氮化硅薄膜的厚度为70-90nm；/n步骤四：丝网印刷及烧结，按照网版图形进行丝网印刷和烧结，背面印刷银电极和铝背场，正面主栅印刷银浆，正面细栅印刷铜浆，正面细栅宽度小于50μm，高度大于5μm，烧结峰值温度为740-780℃左右，时间为30-50s，制得太阳能电池。/n