[发明专利]半导体装置的形成方法有效
| 申请号： | 201910893163.X | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110957223B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王志豪;黄瑞乾;林群雄;江国诚;周智超;王培勋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王宇航;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的形成方法包含在基底之上设置多个第一半导体层和多个第二半导体层，其中第一半导体层和第二半导体层具有不同的材料组成且交错设置，且第一半导体层和第二半导体层在基底的第一区域和第二区域之上延伸；将第一半导体层和第二半导体层图案化，以在第一区域中形成第一鳍及在第二区域中形成第二鳍；从第一鳍和第二鳍移除第一半导体层，使得图案化的第二半导体层的第一部分在第一鳍中形成多个第一悬浮纳米结构，且图案化的第二半导体层的第二部分在第二鳍中形成多个第二悬浮纳米结构；在第二鳍中的第二悬浮纳米结构上形成多个第三半导体层；以及进行退火制程，以驱使第三半导体层中含有的材料进入对应的第二鳍中的第二悬浮纳米结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
