[发明专利]利用四甲基胍有机碱在单晶硅表面制绒的方法在审
| 申请号： | 201910893517.0 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110707163A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 黄仕华;张嘉华 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 33216 杭州之江专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 朱枫 |
| 地址： | 321004 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用四甲基胍有机碱在单晶硅片制绒的方法，首先清洗硅片，然后以去离子水位溶剂，配制四甲基胍和异丙醇混合溶液，其中四甲基胍的体积比为10％，异丙醇的体积比为7％，80℃的水浴锅中预热备用；将硅片放入制绒液中，80℃下水浴加热35min，并用去离子水冲洗二到三次，再用去离子水超声5min以除去溶液残留。本发明提出的四甲基胍有机碱单晶硅制绒后的光学反射率大幅降低，同时消除了制绒液中金属离子对硅片的污染，也降低了制绒废液的后续处理成本。 | ||
| 搜索关键词： | 四甲基胍 硅片 制绒 去离子水 体积比 有机碱 制绒液 异丙醇混合溶液 单晶硅 光学反射率 单晶硅片 后续处理 金属离子 溶液残留 水浴锅 异丙醇 预热 溶剂 超声 放入 废液 冲洗 加热 备用 离子 配制 清洗 下水 水位 并用 污染 | ||
【主权项】：
1.一种利用四甲基胍有机碱在单晶硅片制绒的方法，其特征在于：包括如下步骤：/n1)清洗硅片；/n2)以去离子水位溶剂，配制四甲基胍和异丙醇混合溶液，其中四甲基胍的体积比为10％，异丙醇的体积比为7％，80℃的水浴锅中预热备用；/n3)将步骤1)所得的硅片放入步骤2)所得的制绒液中，80℃下水浴加热35min，并用去离子水冲洗二到三次，再用去离子水超声5min以除去溶液残留。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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