[发明专利]一种基于高反膜的线性位相梯度超表面结构有效
申请号: | 201910893576.8 | 申请日: | 2019-09-20 |
公开(公告)号: | CN110727037B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 程鑫彬;何涛;董思禹;王占山 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | G02B1/00 | 分类号: | G02B1/00;G02B5/08 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 叶敏华 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于高反膜的线性位相梯度超表面结构,包括由下而上依次设置的基板(1)、高反膜(2)和超表面(3),所述的高反膜(2)为由高折射率介质膜层H1和低折射率介质膜层L交替设置构成的介质膜堆,高反膜(2)与超表面(3)接触的一侧为低折射率介质膜层L,所述的超表面(3)采用高折射率介质膜层H2,所述的超表面(3)的一个周期由多个不同宽度的单元结构构成。与现有技术相比,本发明省略了传统厚层金属衬底,引入全介质高反膜,提高了超表面的反射率,降低了超表面的损耗,方法新颖,可以针对可见光至近红外范围内的激光波长在设计和实验上分别实现99%和98%的异常反射偏折效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 高反膜 线性 位相 梯度 表面 结构 | ||
【主权项】:
1.一种基于高反膜的线性位相梯度超表面结构,其特征在于,包括由下而上依次设置的基板(1)、高反膜(2)和超表面(3),所述的高反膜(2)为由高折射率介质膜层H1和低折射率介质膜层L交替设置构成的介质膜堆,高反膜(2)与超表面(3)接触的一侧为低折射率介质膜层L,所述的超表面(3)采用高折射率介质膜层H2,所述的超表面(3)的一个周期由多个不同宽度的单元结构构成。/n
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