[发明专利]半导体结构及其电容检测方法在审
| 申请号： | 201910894162.7 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN112542518A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 钱仕兵 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L49/02;H01L29/417;H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提出一种半导体结构，该半导体结构包括：半导体衬底、掺杂阱、第一绝缘层、电容结构、导线、探针垫。掺杂阱与所述半导体衬底具有不同的掺杂形态，且形成于所述半导体衬底内，以使所述掺杂阱和所述半导体衬底在堆叠方向上形成PN结；电容结构形成于所述半导体衬底上，且位于所述掺杂阱以外位置；第一绝缘层设置于所述掺杂阱上；探针垫设置于所述第一绝缘层背离所述掺杂阱的一侧；导线连接于所述探针垫与所述电容结构的第一电极之间。本公开提供的半导体结构可以被准确、方便的测量电容结构的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 电容 检测 方法 | ||
【主权项】：
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