[发明专利]一种半导体设备及其使用方法在审
| 申请号： | 201910894285.0 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110643961A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/56;C23C14/50;C23C14/54;C23C14/06 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体设备及其使用方法，该半导体设备包括：过渡腔体，设置在生长腔体之前；至少一载台，设置在所述过渡腔体内，所述至少一载台允许放置至少一个托盘，所述托盘允许放置基板，所述至少一载台允许上升和/或下降；冷却板，设置在所述过渡腔体内，所述冷却板与所述至少一载台相对设置；抽气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述抽气口对所述过渡腔体进行抽真空处理；排气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述排气口对所述过渡腔体进行破真空处理。本发明的半导体设备结构简单，能提高镀膜的均匀性，本发明还提出一种半导体设备的使用方法。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡腔体 载台 半导体设备 托盘 抽气口 过渡腔 冷却板 排气口 体内 半导体设备结构 抽真空处理 生长腔体 相对设置 均匀性 破真空 镀膜 基板 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：/n过渡腔体，设置在生长腔体之前；/n至少一载台，设置在所述过渡腔体内，所述至少一载台允许放置至少一个托盘，所述托盘允许放置基板，所述至少一载台允许上升和/或下降；/n冷却板，设置在所述过渡腔体内，所述冷却板与所述至少一载台相对设置；/n抽气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述抽气口对所述过渡腔体进行抽真空处理；/n排气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述排气口对所述过渡腔体进行破真空处理。/n
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