[发明专利]一种GaAs基半导体激光器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201910894514.9 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN112542767B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘青;冯兴联;苏建;徐现刚;郑兆河 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/323;H01S5/227 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 张文杰 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaAs基半导体激光器芯片及其制备方法，所述激光器芯片包括GaAs衬底，所述GaAs衬底表面自下而上依次设有外延层和P面管芯结构，所述GaAs衬底远离外延层的一侧镀有N面电极，所述GaAs衬底与N面电极接触的端面上设置有粗糙区。本发明工艺设计合理，不仅有效提高了芯片的整体厚度，芯片的弯曲度和翘曲度明显小于常规抛光工艺处理后的薄芯片，避免了镀膜不均匀和磨料渗入管芯P/N面的情况；同时粗糙区能够提高衬底与N面电极的接触面积，降低了半导体与N面电极之间的接触电阻，有效降低激光器管芯的体电阻，从而减低激光器的阈值电流，提高了电光转换效率，提高了N面电极与GaAs衬底之间的粘附性，避免出现N面电极脱落的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 半导体激光器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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