[发明专利]一种p型和n型导电铌酸锂纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 201910894519.1 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110670134B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 张国权;王晓杰;焦跃健;薄方;许京军 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B29/62;C30B1/02;C30B30/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 魏朋 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种p型和n型导电铌酸锂纳米线的制备方法，其包括以下步骤：步骤一：利用热固定技术，对多畴铌酸锂晶体进行均匀加热一定时间，并自然冷却至室温，使晶体中的质子被固定在畴壁区域；步骤二：利用电极化技术将上述制得的铌酸锂晶体进行一次极化；步骤三：利用电极化技术将上述制得的铌酸锂晶体进行第二次极化，可以改变步骤二中制备的纳米线导电类型，其能够通过一次极化反转实现p型和n型导电载流子类型的转换。所述方法解决铌酸锂晶体中纳米尺度下输运载流子的调控技术，实现了在纳米尺度下铌酸锂电学特性的调控难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 铌酸锂 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种p型和n型导电铌酸锂纳米线的制备方法，其特征在于，所述制备方法利用铌酸锂中的质子固定理论，制备的纳米线结构横向尺寸在几十纳米，其方法包括以下步骤：/n步骤一：利用热固定技术，对多畴铌酸锂晶体进行均匀加热一定时间，并自然冷却至室温，使晶体中的质子被固定在畴壁区域；/n步骤二：利用电极化技术将上述制得的铌酸锂晶体进行一次极化；/n步骤三：利用电极化技术将上述制得的铌酸锂晶体进行第二次极化，可以改变步骤二中制备的纳米线导电类型。/n
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