[发明专利]物理气相沉积设备有效
| 申请号： | 201910896402.7 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN110527967B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 周云;宋维聪;潘钱森;霍焕俊 | 申请（专利权）人： | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/50 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国(上海)自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种物理气相沉积设备，通过交流或脉冲直流磁控溅射将薄膜沉积到晶圆表面；包括腔体、永磁装置、靶材、腔体转接器、电磁线圈及晶圆托盘；晶圆托盘用于承载晶圆，晶圆托盘连接有射频电源以形成负偏压；腔体具有上腔部及下腔部，腔体转接器连接于上腔部及下腔部之间，用于增加靶材与晶圆托盘之间的距离；永磁装置位于靶材上方，用于产生初级磁场以实现磁控溅射；电磁线圈用于产生次级磁场以增加靶材边缘处的等离子体密度。本发明可以在膜层的沉积过程中直接实现膜层的平坦化，避免需要使用CMP平坦化工艺进行膜层平坦化的步骤，大幅降低生产成本，同时避免CMP平坦化工艺过程而可能造成的晶圆开裂，大幅提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 物理 沉积 设备 | ||
【主权项】：
1.一种物理气相沉积设备，其特征在于，通过交流或脉冲直流磁控溅射将薄膜沉积到晶圆表面；所述物理气相沉积设备包括：腔体、永磁装置、靶材、腔体转接器及晶圆托盘；所述靶材位于所述腔体顶部；所述晶圆托盘位于所述腔体的下部，用于承载晶圆，所述晶圆托盘连接有射频电源以形成负偏压；所述腔体具有上腔部及下腔部，所述腔体转接器连接于所述上腔部及下腔部之间，用于增加所述靶材与所述晶圆托盘之间的距离；所述永磁装置位于所述靶材上方，用于产生初级磁场以实现磁控溅射。/n
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