[发明专利]单模砷化镓基量子点激光器的制备方法有效
| 申请号： | 201910896555.1 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110611244B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;丁芸芸 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种单模砷化镓基量子点激光器的制备方法，该方法包括：在砷化镓基外延片P面生长掩膜薄层，对掩膜薄层进行一次标准光刻，制作出表面高阶光栅槽；再在外延片P面生长一层掩膜薄层，对掩膜薄层进行二次标准光刻制作出条形脊波导；之后再生长一层掩膜薄层，进行三次标准光刻形成电注入窗口；在外延片P面进行四次标准光刻并剥离光刻胶形成P面欧姆接触电极；最后在砷化镓基外延片背面的N型衬底上制作欧姆接触电极，对砷化镓基外延片解理出包含增益区及高阶光栅区的激光器，对激光器进行封装。本发明通过标准光刻工艺无需制作小周期的光栅及二次外延，即可产生稳定的单模激射，降低工艺的复杂性和成本，易于器件的制备和大规模的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 单模 砷化镓基 量子 激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单模砷化镓基量子点激光器的制备方法，其特征在于，该方法包括：/n在砷化镓基外延片P面生长一掩膜薄层，以光刻胶为掩膜刻蚀掩膜薄层、接触层和上限制层制备出表面高阶光栅槽；/n在砷化镓基外延片P面上生长一层掩膜薄层，以光刻胶为掩膜刻蚀掩膜薄层、接触层和上限制层形成条形脊波导；/n砷化镓基外延片P面生长一层掩膜薄层，以光刻胶为掩膜刻蚀掩膜薄层形成电注入窗口；/n在砷化镓基外延片P面进行四次标准光刻并剥离光刻胶形成P面欧姆接触电极；/n在砷化镓基外延片背面的N型衬底上制作欧姆接触电极；以及/n在砷化镓基外延片解理出包含增益区及高阶光栅区的激光器，对激光器进行封装。/n
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