[发明专利]一种抗地弹噪声的输出驱动电路有效
申请号: | 201910896616.4 | 申请日: | 2019-09-23 |
公开(公告)号: | CN110677021B | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 李健;胡贵才;孔瀛;樊旭;穆辛 | 申请(专利权)人: | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M1/32 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 徐晓艳 |
地址: | 100076 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种抗地弹噪声的输出驱动电路,属于半导体集成电路领域。该输出驱动电路通过增加逻辑电路在输出驱动PMOS管和NMOS管的开关转换过程中引入一定的延时避免其同时导通,通过控制不同宽长比的驱动管相继开启实现静态和开关过程中电路具有不同的驱动能力。本发明中的输出驱动电路可以有效的减小地弹噪声,并具有较高的驱动能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 噪声 输出 驱动 电路 | ||
【主权项】:
1.一种抗地弹噪声的输出驱动电路,其特征在于包括第一反相器INV1、第一与非门NAND1、第一延迟线DLY1、第一或非门NOR1、第二反相器INV2、第三或非门NOR3、第三延迟线DLY3、第二与非门NAND2、第四反相器INV4、第一PMOS管P1、第一NMOS管N1;/n输入数据端D同时连接第一与非门NAND1的一个输入端和第三或非门NOR3的一个输入端;输出使能控制端OEN连接第一反相器INV1的输入端和第三或非门NOR3的另一个输入端;第一反相器INV1的输出端连接第一与非门NAND1的另一个输入端;第一与非门NAND1的输出端连接第一延迟线DLY1的输入端和第一或非门NOR1的一个输入端,第一延迟线DLY1的输出端连接第一或非门NOR1的另一个输入端,第一或非门NOR1的输出端连接第二反相器INV2的输入端,第二反相器INV2的输出端连接第一PMOS管P1的栅端;/n第三或非门NOR3的输出端同时连接第三延迟线DLY3的输入端和第二与非门NAND2的一个输入端;第三延迟线DLY3的输出端连接第二与非门NAND2的另一个输入端;第二与非门NAND2的输出端连接第四反相器INV4的输入端;第四反相器INV4的输出端连接第一NMOS管N1的栅端;第一PMOS管P1的源端连接电源;第一NMOS管N1的源端接地;第一PMOS管P1的漏端和第一NMOS管N1的漏端连接在一起,作为输出驱动电路的输出端Q。/n
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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