[发明专利]一种提高三维存储器中外围电路穿通电压的结构和方法有效
| 申请号： | 201910896727.5 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN110610941B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 许文山;董洁琼;田武;孙超 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L21/265 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 向彬 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种提高三维存储器中外围电路穿通电压的结构和方法。其中结构包括在厚度方向上设置于所述基层之上的高压P型阱区HVPW，在所述厚度方向上位于所述HVPW中，且对应待设置栅极的下方区域设置注入增强区；在正交于所述厚度方向的横向方向上，位于待设置栅极的下方区域的HVPW两侧，分别设置高压n型横向扩散漏极HVNLDD，所述HVNLDD接触所述HVPW。本发明通过在指定区域设置注入增强区，从而在提高PT参数特性的情况下，尽可能的减少了对BVDss的影响，改善了现有技术中高压N型器件在BVDss和PT参数上相互制约HVNLDD的技术瓶颈问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 三维 存储器 外围 电路 通电 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高三维存储器中外围电路穿通电压的结构，其特征在于，包括：/n基层；/n在厚度方向上设置于所述基层之上的高压P型阱区HVPW；/n在所述厚度方向上位于所述HVPW中，且对应待设置栅极的下方区域设置注入增强区；/n在正交于所述厚度方向的横向方向上，位于待设置栅极的下方区域的HVPW两侧，分别设置高压n型横向扩散漏极HVNLDD，所述HVNLDD接触所述HVPW。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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