[发明专利]一种基于轴向磁场及超声处理制备太阳能级多晶硅的方法在审

专利信息
申请号: 201910896751.9 申请日: 2019-09-23
公开(公告)号: CN110512283A 公开(公告)日: 2019-11-29
发明(设计)人: 陈小会 申请(专利权)人: 新余学院
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06;C30B30/04;C30B30/00
代理公司: 36134 南昌朗科知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 郭毅力<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 338004 江西*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 一种基于轴向磁场及超声处理制备太阳能级多晶硅的方法,将冶金硅表面酸洗、蒸馏水清洗,干燥;将预处理的冶金硅装进高纯石英坩埚内并放入定向凝固炉中,抽真空;将炉温升高至1200~1350℃,保温;向炉腔充入惰性气体;升温至1500~1650℃,保温;得到硅熔体;将炉温降至1420~1570℃;引入轴向磁场和高能超声到硅熔体中;将坩埚以1~20μm/s的速率抽拉出加热区,开始长晶;长晶结束后,关闭励磁系统和停止超声处理,将炉腔内温度降至1000~1300℃;关闭加热系统,冷却。本发明得到的多晶硅材料组织中硅晶粒粗大且垂直于坩埚底部,缺陷少,杂质含量低;工艺成本低、简单;安全可靠、无污染;操作方便。
搜索关键词: 坩埚 超声处理 轴向磁场 硅熔体 冶金硅 炉腔 炉温 保温 预处理 太阳能级多晶硅 定向凝固炉 多晶硅材料 蒸馏水清洗 表面酸洗 惰性气体 高纯石英 高能超声 工艺成本 加热系统 励磁系统 抽真空 硅晶粒 加热区 温度降 抽拉 放入 制备 冷却 升高 垂直 引入
【主权项】:
1.一种基于轴向磁场及超声处理制备太阳能级多晶硅的方法,其特征是包括以下步骤:/n(1)将冶金硅表面酸洗、蒸馏水清洗,干燥;/n(2)将经步骤(1)预处理的冶金硅硅料装进高纯石英坩埚内,并放入定向凝固炉中,并将炉腔抽真空;/n(3)将定向凝固炉炉腔内温度升高至1200~1350℃,保温100~120min;/n(4)向定向凝固炉炉腔充入0~60000Pa的惰性气体;将温度升高至1500~1650℃,保温30~60min;得到硅熔体;/n(5)将定向凝固炉炉腔内温度降至1420~1570℃;引入轴向磁场和高能超声到步骤(4)所述的硅熔体中,磁场强度0.01~1T,超声功率0.1~3KW,超声频率20KHz;将装有硅熔体的坩埚以1~20μm/s的速率抽拉出加热区,开始长晶;/n(6)长晶结束后,关闭励磁系统和停止超声处理,将定向凝固炉炉腔内温度降至1000~1300℃;关闭加热系统,随炉冷却。/n
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