[发明专利]一种AlCrSiN/Mo自润滑薄膜的复合磁控溅射制备方法有效
申请号: | 201910897051.1 | 申请日: | 2019-09-23 |
公开(公告)号: | CN110453190B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 王铁钢;蒙德强;刘艳梅;阎兵;尹照星;许人仁 | 申请(专利权)人: | 天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心) |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/06 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 于晓波 |
地址: | 300222 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: |
本发明公开了一种AlCrSiN/Mo自润滑薄膜的复合磁控溅射制备方法,属于薄膜制备技术领域。该AlCrSiN/Mo自润滑薄膜是采用高功率脉冲磁控溅射技术和脉冲直流磁控镀膜技术在基体上制备而成,制备过程为:降低偏压至‑50~‑150V,N |
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搜索关键词: | 一种 alcrsin mo 润滑 薄膜 复合 磁控溅射 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种AlCrSiN/Mo自润滑薄膜的复合磁控溅射制备方法,其特征在于:所述AlCrSiN/Mo自润滑薄膜是由Mo元素掺杂进AlCrSiN薄膜中形成,该AlCrSiN/Mo自润滑薄膜是采用高功率脉冲磁控溅射技术和脉冲直流磁控镀膜技术在基体上制备而成,具体包括如下步骤:/n(1)将基体固定于真空室内旋转架上,然后将真空室的基底压强抽至3.0×10-3Pa以下,CrMo靶连接在高功率脉冲电源上,AlCrSi靶连接在脉冲直流电源上;/n(2)基体先进行辉光清洗,以除去表面杂质;然后进行离子轰击,以提高膜/基结合力;/n(3)制备CrN过渡层;/n(4)制备AlCrSiN/Mo自润滑薄膜:制备CrN过渡层后降低偏压至-50~-150V,再通入反应气体N2流量为50~150sccm,Ar流量为50~250sccm,N2和Ar总流量为300sccm,通过调节节流阀使沉积压强保持在1.0~2.5Pa,采用CrMo靶溅射功率为0.1~0.9kW,AlCrSi靶功率0.2~1.5kW,获得AlCrSiN/Mo自润滑薄膜。/n
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