[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910897839.2 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN111293165A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 千大焕 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王璇;张晶 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底、n‑型层、多个沟槽、p型区域、p+型区域、n+型区域、栅电极、源电极和漏电极。半导体器件可以包括多个单位单元。多个单位单元中的单位单元可以包括：接触部分，在接触部分中，源电极与n+型区域接触；第一分支部分，在平面上设置在接触部分上方；以及第二分支部分，在平面上设置在接触部分下方，多个沟槽彼此间隔开并且在平面上以条带形状设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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