[发明专利]一种用于背照式图像传感器的深硅槽及其形成方法在审
| 申请号： | 201910897850.9 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN110634898A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 夏爱华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于背照式图像传感器的深硅槽及其形成方法，硅外延层、位于该硅外延层上的深沟槽；该深沟槽由侧壁竖直的下半部分和侧壁倾斜的上半部分构成；其中下半部分填充有介质层；上半部分的侧壁设有与下半部分相同的介质层；上半部分剩余未填充介质层的部分填充有金属。本发明将深沟槽设计为填充有介质层的竖直部分和填充有介质层、金属垫层以及金属层的侧壁倾斜部分，通过该两个部分结构的不同，以及不同结构中沉积形成结构不同的介质层，以及沉积形成的金属结构层的不同，将传统的两种深沟槽的优点集合在一起，同时实现对光子和电子的有效隔离，提高了背照式图像传感器的产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 填充 深沟槽 背照式图像传感器 侧壁倾斜 硅外延层 侧壁 竖直 沉积 金属结构层 部分相同 产品性能 金属垫层 有效隔离 传统的 金属层 深硅槽 光子 集合 金属 | ||
【主权项】：
1.一种用于背照式图像传感器的深硅槽，其特征在于，至少包括：/n硅外延层；位于所述硅外延层上的深沟槽；所述深沟槽由侧壁竖直的下半部分和侧壁倾斜的上半部分构成；所述下半部分填充有介质层；所述上半部分的侧壁设有与所述下半部分相同的介质层；所述上半部分剩余未填充介质层的部分填充有金属。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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