[发明专利]降低CMOS图像传感器中随机电报噪声的结构及形成方法

摘要

本发明提供一种降低CMOS图像传感器中随机电报噪声的结构及形成方法，位于外延层上的转移管和该转移管一侧的光电二极管；光电二极管上设有钉扎层，转移管栅极下设有不同厚度的氧化硅层，靠近钉扎层一端的转移管栅极下的氧化硅层厚度小于该栅极下其余部分的氧化硅层厚度。本发明利用不同氧化硅厚度形成不同沟道区域的方法来同时满足利用转移管与钉扎层的低耗尽降低电子产生‑复合率，以及抑制浮动扩散点到光电二极管的电流，达到降低光电子转移和积分时间过程的随机电报噪声和暗电流，实现转移管更为灵活的调整和更加有效地抑制随机电报噪声，提高像素单元的动态范围和低光下的响应。

主权项

1.降低CMOS图像传感器中随机电报噪声的结构，其特征在于，该结构至少包括：/n位于外延层上的转移管和该转移管一侧的光电二极管；所述光电二极管的上表面设有钉扎层；所述转移管的多晶硅栅极下设有不同厚度的氧化硅层，其中靠近所述钉扎层一端的所述转移管的多晶硅栅极下的所述氧化硅层厚度小于所述转移管的多晶硅栅极下其余部分的所述氧化硅层厚度。/n