[发明专利]抗干扰介电弹性体传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201910898116.4 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN110595649B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 黄博;李永泽;赵建文 | 申请（专利权）人： | 哈工大（威海）创新创业园有限责任公司 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;G01B7/02 |
| 代理公司： | 威海科星专利事务所 37202 | 代理人： | 孙小栋 |
| 地址： | 264209 山东省威海市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抗干扰介电弹性体传感器的其制备方法，其解决了现有介电弹性体传感器测量准确度低、精度低，稳定性差，抗干扰能力差的技术问题，其包括正电极、第一负电极、第二负电极、第一屏蔽层、第二屏蔽层、第一介电弹性体、第二介电弹性体、第三介电弹性体和第四介电弹性体，第二介电弹性体与正电极的上部连接，第一负电极与第二介电弹性体连接，第三介电弹性体与第一负电极连接，所述第一屏蔽层与第三介电弹性体连接；第一介电弹性体与正电极的下部连接，第二负电极与第一介电弹性体连接，第四介电弹性体与第二负电极连接，第二屏蔽层与第四介电弹性体连接。其可广泛应用于人机交互技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 抗干扰 弹性体 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抗干扰介电弹性体传感器，其特征是，包括正电极、第一负电极、第二负电极、第一屏蔽层、第二屏蔽层、第一介电弹性体、第二介电弹性体、第三介电弹性体和第四介电弹性体，所述第二介电弹性体与正电极的上部连接，所述第一负电极与第二介电弹性体连接，所述第三介电弹性体与第一负电极连接，所述第一屏蔽层与第三介电弹性体连接；所述第一介电弹性体与正电极的下部连接，所述第二负电极与第一介电弹性体连接，所述第四介电弹性体与第二负电极连接，所述第二屏蔽层与第四介电弹性体连接。/n
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