[发明专利]一种延长半导体元件防护隔板使用寿命的方法在审
| 申请号： | 201910898730.0 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112542372A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 何小麟 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种延长半导体元件防护隔板使用寿命的方法，所述方法包括以下步骤：(1)提供半导体元件防护隔板；(2)将半导体元件防护隔板置于氨气和硅烷的混合气体氛围下，在温度为400‑500℃下进行微波处理使半导体元件防护隔板表面形成氮化硅膜，所述微波功率为4000‑5000W；(3)将半导体元件防护隔板置于氨气和硅烷的混合气体氛围下，在温度为600‑800℃下进行微波处理使半导体元件防护隔板表面形成氮化硅膜，所述微波功率为5500‑7000W。本发明的方法处理的半导体元件防护隔板在半导体制备的离子刻蚀的工艺中应用时，降低了半导体元件防护隔板的刻蚀程度，减少了长形条隔板的消耗，延长了半导体元件防护隔板的使用寿命，降低了成本。 | ||
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【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
