[发明专利]基于碳纳米管的自旋场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910898944.8 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112542510A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 孙连峰;岳峻逸;刘佳;彭志盛;任红轩;池建义;梁贺君;尚净波;史刚 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心;中国科学院包头稀土研发中心;内蒙古石墨烯材料研究院 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/06;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 陈玉婷 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种基于碳纳米管的自旋场效应晶体管及其制备方法，该晶体管包括：绝缘衬底、导电结构体、检测结构体、栅电极以及碳纳米管；碳纳米管、检测结构体和导电结构体均位于绝缘衬底上表面；碳纳米管贯穿导电结构体，并在接触面形成欧姆接触；导电结构体包括第一电极和第二电极，用于提供导通电路；碳纳米管用于产生自旋流；检测结构体用于检测自旋流；栅电极与绝缘衬底相连，并与导电结构体以及碳纳米管绝缘；栅电极用于提供栅极电压，以控制自旋流的状态。本发明实施例解决了如何将自旋流高效地注入到半导体中，解决了自旋流在半导体中输运、调控和检测的技术难题，实现了利用栅极电压对自旋流进行有效调控。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 自旋 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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