[发明专利]一种全氧化物铁电光电二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910899143.3 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN110690321B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 杨锋;刘芬;林延凌;季凤岐;岳炳臣 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/032;C23C14/58;C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 贾波 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种全氧化物铁电光电二极管及其制备方法，其包括基底，所述基底上覆有LSMO层，所述LSMO层上覆有BFCO层，所述BFCO层上覆有ITO层。其中，所述LSMO层为外延生长的La |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化物 光电二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全氧化物铁电光电二极管，包括基底，其特征是：所述基底上覆有LSMO层，所述LSMO层上覆有BFCO层，所述BFCO层上覆有ITO层；所述LSMO层为外延生长的La
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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