[发明专利]一种高分子辅助外延生长BiFeO3有效

专利信息
申请号: 201910899704.X 申请日: 2019-09-23
公开(公告)号: CN110563048B 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 杨锋;刘芬;林延凌;季凤岐 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: C01G49/00 分类号: C01G49/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 贾波
地址: 250022 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种高分子辅助外延生长BiFeO3多铁性薄膜的方法,包括:配制前驱体溶液,在(100)SrTiO3或(100)Nb:SrTiO3衬底上,采用层层退火工艺制备薄膜,每层薄膜制备时的温度为70‑90℃,甩膜时的湿度为11‑20%。本发明方法实施很方便,原料化学计量比可精确控制,对实验设备要求不高,成本低,所得薄膜外延程度高,具有较大的室温电极化强度、较低的室温漏电流密度,结构致密、均匀,在局部小区域来看具有单晶的性能,具有优良的介电、电学和磁学性能,适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。
搜索关键词: 一种 高分子 辅助 外延 生长 bifeo base sub
【主权项】:
1.一种高分子辅助外延生长BiFeO
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