[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201910900104.0 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN110943126B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 陈京玉;张玮婷 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王宇航;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了半导体结构及其制造方法。本发明实施例公开用于控制掺杂剂扩散及活化的结构和方法。在一范例中，公开一种半导体结构。前述半导体结构包括：通道层、屏障层、栅极电极以及掺杂层。屏障层位于前述通道层上方。栅极电极位于前述屏障层上方。掺杂层形成于前述屏障层和前述栅极电极之间。前述掺杂层包括与前述屏障层接触的界面层以及位于前述界面层和前述栅极电极之间的主层。前述掺杂层包括掺杂剂，且前述掺杂剂于前述界面层中的掺杂浓度低于前述掺杂剂于前述主层中的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910900104.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
