[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910902196.6 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110518030A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 刘胜娜;陈世杰;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 汪晶晶<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体装置及其制造方法。制造方法包括：提供衬底；在衬底的第一面中形成深沟槽；利用中间材料填充深沟槽，以形成中间扩散部，其中中间材料具有掺杂剂，掺杂剂的掺杂类型与衬底的掺杂类型相同；以及使掺杂剂离子扩散到深沟槽的侧壁中，形成掺杂层。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟槽 衬底 掺杂类型 中间材料 掺杂剂 半导体装置 掺杂剂离子 扩散 掺杂层 侧壁 填充 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；/n在所述衬底的第一面中形成深沟槽；/n利用中间材料填充所述深沟槽，以形成中间扩散部，其中所述中间材料具有掺杂剂，所述掺杂剂的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相同；以及/n使所述掺杂剂离子扩散到所述深沟槽的侧壁中，形成掺杂层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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