[发明专利]一种调整磁隧道结磁各向异性的方法及相应磁隧道结有效
| 申请号： | 201910902728.6 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN110707208B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 程晓敏;连晨;朱云来;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/02;H01L43/10 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于自旋电子学应用领域，公开了一种调整磁隧道结磁各向异性的方法及相应磁隧道结，该调整方法具体是通过在磁隧道结的膜层结构中插入金属夹层来控制电子轨道耦合作用的贡献，从而实现对磁隧道结磁各向异性的调整；初始的所述磁隧道结的膜层结构依次包括势垒层、铁磁层以及非磁性金属覆盖层。本发明基于界面效应，通过加入金属夹层改变Bloch电子态在费米能级附近的分布，进而控制电子轨道间耦合作用项的贡献，实现对磁隧道结磁各向异性的精确调整(如原子磁矩以及磁隧道结的磁各向异性能、磁电系数等)，以满足实际应用中的多种需求。特别的，可以获得足够高的垂直磁各向异性解决自旋转移力矩磁存储器写入功耗过高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调整 隧道 各向异性 方法 相应 | ||
【主权项】：
1.一种调整磁隧道结磁各向异性的方法，其特征在于，该方法是通过在磁隧道结的膜层结构中插入金属夹层来控制电子轨道耦合作用的贡献，从而实现对磁隧道结磁各向异性的调整；初始的所述磁隧道结的膜层结构依次包括势垒层、铁磁层以及非磁性金属覆盖层。/n
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