[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 201910903129.6 | 申请日: | 2019-09-24 |
公开(公告)号: | CN110993494A | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 白滨智宏 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 提供晶片的加工方法,能够抑制所需工时的增加,同时能够赋予去疵能力。晶片的加工方法是将晶片薄化的加工方法,其中,该晶片的加工方法具有如下的步骤:保护部件粘贴步骤(ST2),在晶片的正面侧粘贴保护部件;磨削步骤(ST3),利用卡盘工作台的保持面对晶片的保护部件侧进行保持,利用将磨粒借助结合材料固定而得的磨削磨具对晶片的背面侧进行磨削而进行薄化;以及研磨步骤(ST4),在磨削步骤(ST3)之后,一边对晶片的背面侧提供浆料一边将旋转的研磨垫按压于晶片的背面侧,对晶片的背面侧进行研磨直至成为略微残留有因磨削而形成的磨削应变层的状态为止,从而生成去疵层。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造